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微电子IC制造虚拟仿真培训平台

  

    《CMOS集成电路化学气相淀积虚拟工艺仿真》实验满足《集成电路制造工艺》课程必备的实践要求,课实现了多地、多专业的实验教学资源共享。使学生根据实验要求完成实验,同时将知识贯通,理解和掌握集成电路制造工艺的多种关键技术。

     CMOS集成电路化学气相淀积工艺虚拟仿真实验教学过程为:首先进行CMOS非门制造工艺流程设计和仿真;再进行等离子体化学气相淀积(PECVD)工艺参数设计、设备模拟运行和设备操作。

     CMOS非门制造工艺流程设计和仿真,首先选择设计CMOS非门制造工艺的每个工序(有87个工序),并根据用户所设计的工序顺序进行工艺流程仿真,包括工艺方法和器件结构仿真;用户所设计的工艺流程自动与标准规则进行比较和打分。通过设计操作,掌握CMOS非门的工艺流程。

     等离子体化学气相淀积(PECVD)工艺参数设计和设备模拟运行操作,首先进行工艺参数设计,并将数据输出到数据库并打分;再在VR虚拟制造环境中,漫游找到关键工序,完成设备运行交互操作,包括:上料、生产模拟运行(抽真空、充气、淀积等)、取料等,并显示IC器件在关键工序设备加工完成前后的IC器件结构的变化,完成后将操作数据输出到数据库并打分。

     集成电路制造工艺设备很贵,很难应用于学生实验教学,虚拟仿真教学是最佳的方法。本平台开设的集成电路制造工艺仿真实验项目,不仅可以解决真实实验的问题,也能使学生通过自行设定相应参数,将不可及的抽象概念转化为直观、可控的仿真图形、数据等。学生可进行重复模拟,全面深刻的认知和理解集成电路制造工艺的多种关键技术,提高学生专业兴趣和理论联系实际的能力。

 

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